近年来，AI的快速崛起，高速电芯片测试对环境温度的要求越来越高，高速电芯片温度循环试验箱在芯片可靠性验证、老化测试等应用越来越广泛。高速电芯片温度循环试验箱主要用于半导体与电子芯片加速老化、环境应力筛选（ESS）及可靠性测试。
技术参数：
参考标准：
GB/T2423.1-2008试验A：低温试验方法
GB/T2423.2-2008试验B：高温试验方法
GB/T2423.22-2002试验N：温度变化试验方法等。
测试流程：
1、在样品断电的状态下，先将温度下降到-50℃，保持4个小时；请勿在样品通电的状态下进行低温测试，非常重要，因为通电状态下，芯片本身就会产生+20℃以上温度，所以，在通电状态下，通常比较容易通过低温测试，必须先将其“冻透”，再次通电进行测试。
2、开机，对样品进行性能测试，对比性能与常温相比是否正常。
3、进行老化测试，观察是否有数据对比错误。
4、升温到+90℃，保持4个小时，与低温测试相反，升温过程不断电，保持芯片内部的温度一直处于高温状态，4个小时后，执行2、3、4测试步骤。
5、高温和低温测试分别重复10次。
如果测试过程出现任何一次不能正常工作的状态，则视为测试失败。
如有高速电芯片温度循环试验箱的选型疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。
